반도체 8대 공정 [웨이퍼 공정]

반도체 8대 공정 

 

첫 번째는 웨이퍼 공정이다

 

웨이퍼를 만드는 재료는 실리콘이다

 

실리콘은 모래에서 실리콘을 추출하므로 안정적인 재료수급이 가능하고

 

또한 지구상에 아주 풍부하다

 

 

즉, 웨이퍼는 실리콘이나 갈륨아세나이드 와 같은 화합물을 결합하여 만든 단결정 기둥을 

 

커팅기로 일정두께로 커팅한 원판을 만들어서 사용한다.

 

 

원판을 만들고 나서 반도체 재료로 사용하기위해 정제과정을 거치는데,

 

고순도로 정재된 실리콘 용액을 주물에 넣어 회전시키면서 실리콘기둥을 만든다

 

이 행위를 잉곳 이라고 부르며 

 

잉곳은 실리콘 결정 성장기순인 초크랄스키법 이나 플로팅존법 등을 이용해 얻는다

 

잉곳의 모습

 

이렇게 만들어진 잉곳을 다이아몬드 커팅기를 이용하여 균일한 두께로 웨이퍼로 절단을한다

 

가운데 사진을 보면 크기별로 얇게 커팅된 사진을 볼수있다

 

지름비례 웨이퍼 크기가 결정된다고 보면 된다.

 

여기서! 

 

사용할수 있을 정도로 얇게 절단할수록 제조비용이 감소하기 때문에 

 

점차 얇게 절단하고 있다고 한다.

 

똑똑한 사람이라면 지름이 커질수록 많은양의 반도체 집을 넣을수도 있다는걸 

 

알아챘을것이다

 

커팅후 얇아진 웨이퍼는 표면이 거칠고 흠이 많아 

 

표면을 연마하여 매끄럽게 갈고난후 물리적 화학적 가공을 거쳐 

 

표면에 IC를 형성시키고 가공단계를 거치게 된다 

 

 

 

 

 

가공을 거친 웨이퍼들의 모습

 

웨이퍼 부위별 명칭

출처 삼성반도체이야기